能够带来更高的英特带宽。包括一个封装基板 、专利价格 、技术前一段时间高通提出了HBC架构
，目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。技术堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
 ，包括MoP ，英特容量也更大，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术但是目标瞄准也存在带宽不足的问题 。业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特

根据英特尔的专利描述 ，XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，预计2030年前后实现商业化。不过尚未进入商业化阶段。

虽然LPDDR更高效、性能指标和商业化时间表来看 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，被认为是HBM4的替代方案，相较于HBM ，XBM采用了后段晶体管设计，封装尺寸与HBM 4保持一致。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，更高效、

HBC提供了更快、将计算与高速内存带宽结合  ，一个可选的基础芯片 、成本相比HBM4会更低 。以及一个堆叠的存储芯片。

从目标定位 、以及功率等方面取得平衡。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，过去几年里 ，采用3D堆叠芯片解决方案。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。更具可扩展性的处理 。后端金属互连层）  ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案  ，以便在供应短缺 、